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IC老化測(cè)試座/晶振芯片測(cè)試座

點(diǎn)擊:0 更新時(shí)間:2022.04.07 來源: www.787ds.cn

        制成品檢驗(yàn)(FT),是在晶圓檢驗(yàn)達(dá)標(biāo)的芯片封裝以后對(duì)全部集成ic做的檢驗(yàn)。一般用于挑選封裝流程中發(fā)生的缺點(diǎn)集成ic,及其填補(bǔ)晶片檢驗(yàn)中不可以遮蓋到的檢驗(yàn),比如髙速檢驗(yàn)等。一般而言封裝后的檢驗(yàn)會(huì)包含好幾道檢驗(yàn)階段,包含高溫,室內(nèi)溫度,低溫及其抽查檢驗(yàn)等。

       良率和計(jì)算成本必須考慮到封裝中的全部集成ic和部件及其封裝自身。集成ic可接納的設(shè)備故障率為0.001%,但這必須乘于全部集成ic和互聯(lián)的成本費(fèi)用及其繁雜封裝中的附加流程(包含設(shè)計(jì),生產(chǎn)制造和測(cè)試步驟的每一個(gè)流程)的成本費(fèi)用。

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         在晶圓制造成功以后,晶圓檢驗(yàn)是一歩十分關(guān)鍵的檢驗(yàn)。這步檢驗(yàn)是晶圓生產(chǎn)過程的成績(jī)表。在檢驗(yàn)流程中,每一個(gè)集成ic的電性工作能力和電源電路機(jī)能都被檢驗(yàn)到。晶圓檢驗(yàn)也就是芯片測(cè)試或晶圓電測(cè)。

      單晶硅棒經(jīng)規(guī)范制程制做的晶圓,在集成ic相互間的劃片道上面有預(yù)設(shè)的檢驗(yàn)框架圖,在首層金屬材料刻蝕成功后,對(duì)檢驗(yàn)框架圖開展晶圓穩(wěn)定性主要參數(shù)檢驗(yàn)(WAT)來監(jiān)管晶圓加工工藝是不是平穩(wěn),對(duì)未達(dá)標(biāo)的集成ic開展墨點(diǎn)標(biāo)注,獲得集成ic和微電子技術(shù)檢驗(yàn)構(gòu)造的統(tǒng)計(jì)量;②晶圓制做成功后,對(duì)于加工工藝達(dá)標(biāo)的晶圓再開展CP檢驗(yàn)(CircuitProbing),根據(jù)成功晶圓上集成ic的電主要參數(shù)檢驗(yàn),意見反饋芯片設(shè)計(jì)階段的信息內(nèi)容。成功晶圓檢驗(yàn)后,合格產(chǎn)品才會(huì)進(jìn)到切片和封裝流程。


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